Introduction
Cette page parle en gros du concept de DRAM et compare brièvement
les technologies Fast Page Mode, Extended Data Out, et Synchronous DRAM .
"DRAM" est un acronyme pour "Dynamic Random Access Memory.
"Dynamic" indique que pour que la puce mémoire se souvienne des données,
celle-ci a besoin que chaque bit soit rafraichi par période.
Quand l'alimentation est coupée de la DRAM, les données sont perdues.
"Random Access" indique que chaque cellule de la puce mémoire peut
être lue ou écrite dans n'importe quelle ordre
Ceci contraste par rapport à un périphérique mémoire séquentiel où
les données doivent être lues ou écrites dans un certain ordre
Les bits de la DRAM sont organisés en cellules où chacune d'entre elles
contient un certain nombre de bits.
Par exemple, une DRAM 4Mb * 4 Bit a quatre bits par cellule.
Les cellules sont accessibles par une adresse ligne et une colonne
Un accès DRAM typique commence par spécifier une adresse ligne, ensuite une adresse
colonne . Ensuite un signal est activé ou désactivé pour déterminer si
l'accès est en lecture ou en écriture. Ensuite, la DRAM place les données de la
cellule en sortie de données si l'accès est en lecture; ou la DRAM ecrit les
données dans la cellule si l'accès est en écriture.
La DRAM FPM sont la catégorie la plus utilisée de DRAM.
Celles-ci sont plus rapides que les précedentes génération de DRAM
Dans une ligne spécifique, il y a plusieurs colonnes de bits mémoires .
Avec la DRAM FPM, vous avez seulement besoin de spécifier l'adresse ligne
pour accéder à n'importe quel élement de la même page d'adresse.
Pour les accès succéssifs à la même page mémoire, on a besoin seulement
d'une adresse colonne, ce qui sauve du temps pour accéder à la mémoire.
JEDEC, l'agence qui standardise l'électronique a spécifié des standards
pour la FPM DRAM.
La DRAM "Extended Data Out" travaille quasiment de la même façon que la DRAM FPM.
L'avantage de l'EDO par rapport à la FPM est que l'EDO retient les données
même après que le signal qui "strobes" l'adresse de la colonne devient inactive.
Ceci permet aux microprocesseurs les plus rapides de gérer le temps plus éfficacement
tout en éffectuant plusieurs tâches sans avoir à attendre une mémoire plus lente
Pendant que l'EDO DRAM retrouve une instruction pour le microprocesseur, ce dernier
peut effectuer d'autres tâches sans se soucier si les données deviendront invalides.
JEDEC a spécifié des standards pour l'EDO DRAM.
Avec l'avènement de microprocesseurs plus rapides, les opérations de contrôle de signaux
FPM et EDO DRAM sont devenus un goulot d'étranglement.
La mémoire la plus éfficace est celle qui opère à la même vitesse
que celle du microprocesseur
Cela étant, la DRAM FPM ou EDO, évalués à 60, 70 et 80ns, était suffisament
rapides pour tourner avec des microprocesseurs ayant une fréquence inférieure à 66 Mhz
Cependant, avec l'avènement des microprocesseurs de 66Mhz et plus
le besoin de mémoire standard plus rapide était nécessaire.
JEDEC, l'agence qui standardise l'électronique, a developpé en parallèle la SDRAM
(Synchronous DRAM ).
La SDRAM travaille de manière complètement différentes par rapport
à la DRAM FPM et EDO.
La DRAM FPM et EDO est piloté par des impulsions alors que la SDRAM
entre et sort ses données synchronisées vers une horloge externe
L'utilisation de l'horloge permet donc une lecture et écriture très rapide
au delà des capacités de la DRAM FPM et EDO.
Les temps de propagation des signaux, par exemple du moment où le signal d'entrée
est émis, jusqu'au moment où le signal de sortie est appliqué, sont les causes
principales de la lenteur de la DRAM FPM et EDO; il faut cependant ajouter
que ces DRAMs sont exprimées en ns.
L'horloge est la considération principale de la SDRAM , qui est mesurée en Mhz
Bien que la SDRAM a des signaux portant les mêmes noms que les signaux sur les
DRAM EDO et FPM, ces signaux en question opère différemment
Pour travailler avec des fréquences d'horloge jusqu'à 100 Mhz, la SDRAM
est conçu avec deux bank internes.Ceci permet à une bank d'être prête pour
l'accès tandis que l'autre est accéssible.
La mémoire la plus éfficace est celle qui tourne à la même vitesse que le microprocesseur
La SDRAM est prévue pour être la DRAM la plus utilisée de sa catégorie
dans le futur pour les ordinateurs PC très rapides
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